IRLI640G - характеристики, поставщики

IRLI640G

Последняя цена 350 руб.

IRLI640G

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

N-канальный МОП-транзистор, от 200 до 250 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1706445

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

9,9 А

Максимальное рассеяние мощности

40 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Высота

9.8мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Pin Count

3

Typical Gate Charge @ Vgs

66 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Maximum Gate Source Voltage

-10 В, +10 В

Типичное время задержки выключения

44 нс

Тип корпуса

TO-220FP

Материал транзистора

SI

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

8 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Число контактов

3

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

66 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1800 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Continuous Drain Current

9.9 A

Maximum Power Dissipation

40 Вт

Maximum Drain Source Resistance

180 мΩ

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

N

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Through Hole

Maximum Continuous Drain Current (A)

9.9

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

180@5V

Maximum Drain Source Voltage (V)

200

Maximum Gate Source Voltage (V)

±10

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

40000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Through Hole

Part Status

Active

PCB changed

3

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220FP

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1800@25V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

66(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

66(Max)

Typical Fall Time (ns)

52

Typical Rise Time (ns)

83

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

44

Typical Turn-On Delay Time (ns)

8

Automotive

No

Military

No

Package Height

16.12(Max)

Package Length

10.63(Max)

Package Width

4.83(Max)

Tab

Tab