IRF510S, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1705221

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

5.6 A

Максимальное рассеяние мощности

3,7 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Высота

4.83мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

540 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

8,3 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRF510 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5.6A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Power Dissipation (Max)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Типичное время задержки выключения

15 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6.9 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

8.3 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

180 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

5,6 A

Maximum Power Dissipation

3,7 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.83мм

Maximum Drain Source Resistance

540 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Maximum Continuous Drain Current (A)

5.6

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

540@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Maximum Power Dissipation (mW)

3700

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-263

Supplier Package

D2PAK

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

180@25V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

8.3(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

8.3(Max)

Typical Fall Time (ns)

9.4

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

6.9

Automotive

Military

Package Height

4.83(Max)

Package Length

10.41(Max)

Package Width

9.65(Max)

Tab

Техническая документация

sihf510s-1768493 , pdf , 182 КБ
Datasheet , pdf , 212 КБ
Datasheet IRF510SPBF , pdf , 182 КБ

IRF510S - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация