ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SN7002N - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SN7002N
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SN7002N
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1697090
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
200 mA
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.3мм
Высота
1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
7.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
2.9мм
Серия
SIPMOS
Типичное время задержки выключения
5,3 нс
Тип корпуса
SOT-23
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
2,4 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
-0.8V
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичный заряд затвора при Vgs
1 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
34 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В