ZTX851, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы - BJT

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1692173

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Base Product Number

ZTX851 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

130MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

E-Line-3

Power - Max

1.2W

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

E-Line (TO-92 compatible)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 200mA, 5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

1.2W

Максимальное напряжение коллектор-база

150 В

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

4.01 x 4.77 x 2.41мм

Pd - рассеивание мощности

1.2 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

4.01мм

Длина

4.77мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

5 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

150 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

ZTX851

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-92-3

Ширина

2.41мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

130 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,2 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

180 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

5 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

Тип корпуса

E-Line

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.05 V

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 69 КБ
Datasheet , pdf , 89 КБ

ZTX851 - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация