ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBT 2222A LT1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
MMBT 2222A LT1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBT 2222A LT1
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1682308
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.008
Pd - рассеивание мощности
330 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
600 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MMBT2222
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3 mm
Другие названия товара №
MMBT2222ALT1HTSA1 MMBT2222ALT1XT SP000011174
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
300 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 532 КБ