ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZTX951 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZTX951
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZTX951
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT
Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1678085
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Base Product Number
ZTX951 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
120MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 200В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
E-Line-3
Power - Max
1.2W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 400mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
PNP
Размеры
4.01 x 4.77 x 2.41мм
Pd - рассеивание мощности
1.2 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
4.01мм
Длина
4.77мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
4 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
4 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
4000
Серия
ZTX951
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
TO-92-3
Ширина
2.41мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
120 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
4 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
E-Line
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,1 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Техническая документация
Datasheet ZTX951 , pdf
, 90 КБ
Datasheet , pdf
, 70 КБ