ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZTX657 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZTX657
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZTX657
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Super E-Line
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1678081
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 200 C
Полярность Транзистора
NPN
Base Product Number
ZTX657 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
30MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 200В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
E-Line-3
Power - Max
1W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300V
Pd - рассеивание мощности
1 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
4.01 mm
Длина
4.77 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
50 at 100 mA, 5 V, 40 at 10 mA, 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
500 mA
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
300 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
0.5 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
4000
Серия
ZTX657
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
TO-92-3
Ширина
2.41 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
50 at 100 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
30 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
500 mV
Техническая документация
Datasheet ZTX657 , pdf
, 51 КБ
Datasheet ZTX657 , pdf
, 78 КБ
