ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRL530 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRL530
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRL530
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1675587
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Package Type
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
88 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7mm
Высота
9.01mm
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Length
10.41mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Vishay
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
28 нКл при 5 В
Тип канала
N
Id - непрерывный ток утечки
15 A
Pd - рассеивание мощности
88 W
Qg - заряд затвора
28 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
100 ns
Время спада
48 ns
Длина
10.41мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
6.4 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
50
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
22 ns
Типичное время задержки при включении
4.7 ns
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
28 nC @ 5 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.01мм
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
15
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
160@5V
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Maximum Gate Source Voltage (V)
±10
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Maximum Power Dissipation (mW)
88000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
930@25V
Минимальное пороговое напряжение включения
1V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
28(Max)@5V
Typical Fall Time (ns)
48
Typical Rise Time (ns)
100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
22
Typical Turn-On Delay Time (ns)
4.7
Automotive
No
Military
No
Package Height
9.01(Max)
Package Length
10.41(Max)
Package Width
4.7(Max)
Tab
Tab
Техническая документация
Datasheet IRL530PBF , pdf
, 1020 КБ
Datasheet IRL530PBF , pdf
, 1143 КБ
