ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ALD110902SAL - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Advanced Linear Devices
ALD110902SAL
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ALD110902SAL
Последняя цена
790 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, поверхностный монтаж 8-SOIC
Информация
Производитель
Advanced Linear Devices
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1673874
Технические параметры
Series
EPADВ® ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
10.6V
ECCN
EAR99
FET Type
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
0В°C ~ 70В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500Ohm @ 4.2V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id
220mV @ 1ВµA
FET Feature
Standard
Power - Max
500mW
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet ALD110902SAL , pdf
, 106 КБ
