ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLR120 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRLR120
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLR120
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1667757
Технические параметры
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)
7.7
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
270@5V
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
Maximum Gate Source Voltage (V)
±10
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
2500
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Part Status
Active
PCB changed
2
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
490@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
12(Max)@5V
Typical Fall Time (ns)
27
Typical Rise Time (ns)
64
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
21
Typical Turn-On Delay Time (ns)
9.8
Automotive
No
Military
No
Package Height
2.39(Max)
Package Length
6.73(Max)
Package Width
6.22(Max)
Tab
Tab
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
2
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
25