ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
AUIRF4905S - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
AUIRF4905S
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
AUIRF4905S
Последняя цена
550 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор
P-канал 55V 42A (Tc) 200W (Tc) поверхностный монтаж D2PAK
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1651361
Технические параметры
Series
HEXFETВ® ->
Base Product Number
AUIRF4905 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 42A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
D2PAK
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 477 КБ