SIZ340DT, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

Двойной N-канальный полевой МОП-транзистор PowerPAIR®, Vishay Semiconductor
полевые МОП-транзисторы высокого и низкого уровня в одном компактном корпусе, при этом обеспечивая низкое сопротивление в открытом состоянии и высокий ток, сравнимый с двумя дискретными.

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1640463

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Максимальный непрерывный ток стока

30 А, 40 А

Максимальное рассеяние мощности

16,7 Вт, 31 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.1мм

Высота

0.75мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мОм, 13,7 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

30 A, 40 A

Pd - рассеивание мощности

16.7 W, 31 W

Qg - заряд затвора

19 nC, 35 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

9.5 mOhms, 5.1 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

55 ns, 82 ns

Время спада

7 ns, 7 ns

Длина

3.1мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

37 S, 60 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

PowerPAIR

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

16 нс, 20 нс

Типичное время задержки при включении

13 ns, 22 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

PowerPAIR-3x3-8

Тип корпуса

PowerPAIR

Размеры

3.1 x 3.1 x 0.75мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Серия

Типичное время задержки включения

13 нс, 22 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

12,3 нКл при 10 В, 22,6 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1552 пФ при 15 В, 760 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

30A,40A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

16.7W,31W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 N Channel(Half Bridge)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.4V @ 250uA

Техническая документация

siz340dt-1761560 , pdf , 367 КБ
Datasheet SIZ340DT-T1-GE3 , pdf , 363 КБ
Datasheet SIZ340DT-T1-GE3 , pdf , 368 КБ

SIZ340DT - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация