ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NX3008NBK,215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
NX3008NBK,215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NX3008NBK,215
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 0.4 А, 0.35 Вт
N-канальный полевой МОП-транзистор, до 30 В
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1638355
Технические параметры
Вес, г
0.03
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Nexperia
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Typical Gate Charge @ Vgs
0,52 нКл при 4,5 В
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-8 В, +8 В
Base Product Number
NX3008 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
400mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.68nC @ 4.5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250ВµA
Длина
3мм
Тип корпуса
SOT-23
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Число контактов
3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
400mA(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
1.14W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
1.4О© @ 350mA,4.5V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
1.1V @ 250uA
Maximum Continuous Drain Current
400 мА
Maximum Power Dissipation
1,14 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Height
1мм
Maximum Drain Source Resistance
2,8 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 В
Channel Mode
Поднятие
Техническая документация
Datasheet NX3008NBK,215 , pdf
, 1603 КБ
Datasheet NX3008NBK,215 , pdf
, 873 КБ
