ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP53-16TX - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCP53-16TX
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP53-16TX
Последняя цена
28 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SC-73, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А, 1 Вт
Биполярные транзисторы - BJT BCP53-16T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1638352
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.05
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
145 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
-80 V
Package Type
SC-73, SOT223
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.7мм
Maximum DC Collector Current
-1 A
Height
1.8мм
Pin Count
3
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.8mm
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Minimum DC Current Gain
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Pd - рассеивание мощности
1.35 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.8мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
100
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
145 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1.35 W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-80 V
Максимальный пост. ток коллектора
-1 A
Максимальная рабочая частота
145 МГц
Тип корпуса
SC-73, SOT223
Automotive Standard
AEC-Q101
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1720 КБ
Datasheet , pdf
, 1216 КБ
