ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC807-25W,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC807-25W,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC807-25W,115
Последняя цена
14 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-323, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.2Вт
Малосигнальные транзисторы PNP, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1638347
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.04
Base Product Number
BC807 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
80MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Length
2.2мм
Maximum Collector Base Voltage
50 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
45 В
Maximum Power Dissipation
200 мВт
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Maximum DC Collector Current
500mA
Minimum DC Current Gain
40
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Pd - Power Dissipation
200mW
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
PNP
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
80 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
UMT
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Техническая документация
BC807_BC807W_BC327 Datasheet , pdf
, 234 КБ