NX2301P,215, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2 А, 0.4 Вт, 0.1 Ом

МОП-транзистор с каналом P, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1638338

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.03

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-23

Transistor Material

Length

3mm

Brand

Nexperia

Series

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

4.5 nC

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Base Product Number

NX2301 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 6V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

400mW (Ta), 2.8W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 1A, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

2 A

Pd - рассеивание мощности

710 mW

Qg - заряд затвора

4.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

500 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

15 ns

Время спада

25 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

400mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.1V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Power Dissipation

400 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Height

1mm

Maximum Drain Source Resistance

120 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet NX2301P,215 , pdf , 912 КБ
Datasheet , pdf , 721 КБ

NX2301P,215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 26 руб.

Техническая документация