BSS123-7-F, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

N-CH MOS-FET 0.17A 100V SOT23
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 170 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 6 Ом

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1638298

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.035

Максимальный непрерывный ток стока

170 mA

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1.1мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

одинарный

Brand

diodeszetex

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

BSS123 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

170mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

300mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Длина

3мм

Типичное время задержки выключения

13 ns

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

8 нс

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичная входная емкость при Vds

29 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

170mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

300mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 1mA

Страна происхождения

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet BSS123-7-F , pdf , 117 КБ
Datasheet , pdf , 531 КБ
Datasheet , pdf , 313 КБ
Datasheet , pdf , 524 КБ

BSS123-7-F - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация