FZT651TA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261, АБ

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 3 А

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1638233

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.2

Base Product Number

FZT651 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

175MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 300mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

NPN

Размеры

1.65 x 6.55 x 3.55мм

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65мм

Длина

6.55мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

3 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FZT651

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.55мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

175 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.43 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

175 МГц

Число контактов

3 + Tab

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.25 V

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 496 КБ
Datasheet FZT651TA , pdf , 450 КБ
Datasheet FZT651TA , pdf , 336 КБ
Datasheet , pdf , 501 КБ

FZT651TA - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация