SIR880DP-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: POWERPAKSO8, АБ

Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Корпус POWERPAKSO8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 80 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 60 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5.9 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1638164

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.12

Ширина

5.15 mm

Высота

1.04 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

60 A

Pd - рассеивание мощности

104 W

Qg - заряд затвора

74 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.9 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

10 ns

Время спада

11 ns

Длина

6.15 mm

Другие названия товара №

SIR880DP-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET, PowerPAK

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

64 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIR

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

38 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

PowerPAK-SO-8

Техническая документация

Datasheet SIR880DP-T1-GE3 , pdf , 365 КБ

SIR880DP-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация