ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI7461DP-T1-E3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI7461DP-T1-E3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI7461DP-T1-E3
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: POWERPAKSO8, АБ
Корпус POWERPAKSO8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14.5 мОм
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1638160
Технические параметры
Вес, г
0.1
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
14.4A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
5.4W
Rds On - Drain-Source Resistance
19mО© @ 12.6A,4.5V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 250uA
Id - непрерывный ток утечки:
14.4 A
Pd - рассеивание мощности:
5.4 W
Qg - заряд затвора:
121 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
14.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
-20 V, +20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
1 V
Вид монтажа:
SMD/SMT
Время нарастания:
20 ns
Время спада:
90 ns
Другие названия товара №:
SI7461DP-E3
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Коммерческое обозначение:
TrenchFET
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+150 C
Минимальная рабочая температура:
-55 C
Подкатегория:
MOSFETs
Полярность транзистора:
P-Channel
Производитель:
Vishay
Размер фабричной упаковки:
3000
Серия:
SI7
Технология:
Si
Тип продукта:
MOSFET
Тип транзистора:
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения:
205 ns
Типичное время задержки при включении:
20 ns
Торговая марка:
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок:
PowerPAK-SO-8
Упаковка:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
31 S
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 375 КБ
Datasheet , pdf
, 376 КБ