ZXTN2010ZTA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 30 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: SOT89, АБ

Корпус SOT-89, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 2.1 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 5 А

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1638037

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.152

Base Product Number

ZXTN2010 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

130MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-243AA

Power - Max

2.1W

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-89-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

230mV @ 300mA, 6A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Number of Elements per Chip

Maximum Collector Base Voltage

150 В

Brand

DiodesZetex

Maximum DC Collector Current

5 А

Dimensions

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

2.1W

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

230 мВ

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1100 мВ

Тип корпуса

SOT-89

Техническая документация

Datasheet ZXTN2010ZTA , pdf , 421 КБ
Datasheet ZXTN2010ZTA , pdf , 197 КБ
Datasheet , pdf , 197 КБ

ZXTN2010ZTA - характеристики, поставщики

Последняя цена 30 руб.

Техническая документация