ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI2307CDS-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI2307CDS-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI2307CDS-T1-GE3
Последняя цена
13 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 88 мОм
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1637957
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.047
Ширина
1.6 mm
Высота
1.45 mm
Brand
Vishay
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
3.5 A
Pd - рассеивание мощности
1.8 W
Qg - заряд затвора
4.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
88 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
13 ns
Время спада
7.7 ns
Длина
2.9 mm
Другие названия товара №
SI2307CDS-GE3
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
7 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SI2
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
17 ns
Типичное время задержки при включении
5.5 ns
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
SOT-23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
3.5A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
1.1W
Rds On - Drain-Source Resistance
88mО© @ 3.5A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
3V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet SI2307CDS-T1-GE3 , pdf
, 205 КБ
Datasheet SI2307CDS-T1-GE3 , pdf
, 211 КБ
Datasheet SI2307CDS-T1-GE3 , pdf
, 210 КБ
