ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
KSP2222ABU - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
KSP2222ABU
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
KSP2222ABU
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1, корпус: TO92, АБ
Корпус TO-92-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1637914
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.201
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
75 V
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
4.58 x 3.86 x 4.58мм
Высота
4.58мм
Длина
4.58мм
Ширина
3.86мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
0.625 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 V
Максимальный пост. ток коллектора
600 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-92
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 V
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Техническая документация
KSP2222A-D , pdf
, 307 КБ
