IRFM120ATF - характеристики, поставщики

IRFM120ATF

Последняя цена 14 руб.

IRFM120ATF

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO261, АБ

Корпус TO261

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637904

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.208

Ширина

3.5 mm

Высота

1.8 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

2.3 A

Pd - рассеивание мощности

2.4 W

Qg - заряд затвора

22 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

200 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

14 ns

Время спада

28 ns

Длина

6.5 mm

Другие названия товара №

IRFM120ATF_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5.7 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

IRFM120A

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

36 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-223-4

Тип

MOSFET

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.3A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.4W

Rds On - Drain-Source Resistance

200mО© @ 1.15A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IRFM120ATF , pdf , 325 КБ
Datasheet , pdf , 415 КБ