NTJS4151PT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT363, АБ

Power MOSFET 20V 4.2A 60 mOhm Single P-Channel SC?88 SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
Корпус SOT-323-6, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637879

Технические параметры

Вес, г

0.033

Id - непрерывный ток утечки:

3.3 A

Pd - рассеивание мощности:

1 W

Qg - заряд затвора:

10 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

205 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 12 V, + 12 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

1.2 V

Вид монтажа:

SMD/SMT

Время нарастания:

1.7 ns

Время спада:

4.2 ns

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

P-Channel

Производитель:

ON Semiconductor

Размер фабричной упаковки:

3000

Серия:

NTJS4151P

Технология:

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения:

2.7 ns

Типичное время задержки при включении:

0.85 ns

Торговая марка:

ON Semiconductor

Упаковка / блок:

SC-88-6

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

12 S

Высота:

0.9 mm

Длина:

2 mm

Ширина:

1.25 mm

Тип:

MOSFET

Техническая документация

Datasheet NTJS4151PT1G , pdf , 196 КБ
Datasheet NTJS4151PT1G , pdf , 116 КБ

NTJS4151PT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация