ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSS1C201MZ4T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NSS1C201MZ4T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NSS1C201MZ4T1G
Последняя цена
28 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ
2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor SOT-223-4 / TO-261-4
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 800 мВт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 120, Коэффициент усиления по току, max 360
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1637875
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.248
Base Product Number
NSS1C201 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
800mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
180mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.18 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
140 V dc
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.7mm
Maximum DC Collector Current
2 A
Height
1.65mm
Pin Count
3 + Tab
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.65mm
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Minimum DC Current Gain
40
Максимальное напряжение коллектор-база
140 В пост. тока
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.10 V dc
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,10 В пост. тока
Техническая документация
Datasheet NSS1C201MZ4T1G , pdf
, 181 КБ
