ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI2325DS-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI2325DS-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI2325DS-T1-GE3
Последняя цена
50 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 530 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1637838
Технические параметры
Вес, г
0.043
Ширина
1.6 mm
Высота
1.45 mm
Pin Count
3
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
2.9 mm
Другие названия товара №
SI2325DS-GE3
Категория продукта
МОП-транзистор
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
SI2
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay / Siliconix
Упаковка / блок
SOT-23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
530mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
750mW
Rds On - Drain-Source Resistance
1.2О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 250uA
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
0.53
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
1200@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
150
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
1250
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SOT-23
Supplier Package
SOT-23
HTS
8541.21.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
7.7@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
7.7
Automotive
No
Military
No
Package Height
1.02(Max)
Package Length
3.04(Max)
Package Width
1.4(Max)
Process Technology
TrenchFET
Техническая документация
Datasheet SI2325DS-T1-GE3 , pdf
, 193 КБ
Datasheet SI2325DS-T1-GE3 , pdf
, 198 КБ
Datasheet SI2325DS-T1-GE3 , pdf
, 199 КБ
Datasheet , pdf
, 203 КБ
