SI2309CDS-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 22 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 345 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637837

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.043

Максимальный непрерывный ток стока

1.2 A

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

345 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

3.04мм

Типичное время задержки выключения

15 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

40 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

2.7 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

210 пФ при 30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

1.6

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

345@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

1000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

210@30V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

2.7@4.5V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.02(Max)

Package Length

3.04(Max)

Package Width

1.4(Max)

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Typical Reverse Recovery Time (ns)

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

Typical Gate Plateau Voltage (V)

Typical Diode Forward Voltage (V)

0.8

Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.2

Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)

1.2

Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)

166

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Typical Gate to Drain Charge (nC)

1.2

Typical Gate to Source Charge (nC)

0.8

Typical Reverse Recovery Charge (nC)

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

20@30V

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

Typical Output Capacitance (pF)

Техническая документация

Datasheet SI2309CDS-T1-GE3 , pdf , 203 КБ
Datasheet , pdf , 173 КБ

SI2309CDS-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 22 руб.

Техническая документация