ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDS6681Z - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDS6681Z
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDS6681Z
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1, корпус: SOIC8, АБ
Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Корпус SO-8
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1637710
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.125
Максимальный непрерывный ток стока
20 А
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
2мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Длина
5мм
Серия
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
660 нс
Тип корпуса
SOIC
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
185 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
7540 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Техническая документация
Datasheet FDS6681Z , pdf
, 293 КБ