NSS40601CF8T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 36 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1, корпус: SMD8, АБ

Корпус SMD8, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.4 Вт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 5 А, Коэффициент усиления по току, min 200

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637674

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.041

Pd - рассеивание мощности

1400 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.05 mm

Длина

3.05 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

8 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

40 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

NSS40601CF8

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

ChipFET-8

Ширина

1.65 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

140 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

90 mV

Техническая документация

Datasheet NSS40601CF8T1G , pdf , 89 КБ

NSS40601CF8T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 36 руб.

Техническая документация