ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MUN5314DW1T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MUN5314DW1T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MUN5314DW1T1G
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSSOP6, АБ
Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Цифровой биполярный транзистор, сборка, ток смещения, N
Корпус TSSOP6, Тип проводимости и конфигурация NPN / PNP, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 140
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1637660
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN, PNP
Вес, г
0.028
Base Product Number
MUN5314 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-88/SC70-6/SOT-363
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Pd - рассеивание мощности
187 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.9 mm
Длина
2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Dual
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MUN5314DW1
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-88-6
Ширина
1.25 mm
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80 at 5 mA at 10 V
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
0.21
Resistor - Base (R1)
10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47kOhms
Количество каналов
2 Channel
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 301 КБ
Datasheet , pdf
, 146 КБ