MUN5214T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703, АБ

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 202 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 140

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637659

Технические параметры

Вес, г

0.029

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2.2мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Package Type

SC-70

Maximum Power Dissipation

310 мВт

Width

1.35мм

Maximum DC Collector Current

100mA

Height

0.9мм

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 0.9мм

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

202mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Конфигурация

Одиночный

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

310 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V dc

Число контактов

Тип корпуса

SC-70

Maximum Continuous Collector Current

100 мА

Base-Emitter Resistor

47кОм

Automotive Standard

AEC-Q101

Типичный входной резистор

10 кΩ

Typical Resistor Ratio

0,21

Техническая документация

Datasheet , pdf , 136 КБ
Datasheet , pdf , 145 КБ

MUN5214T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация