MJD350T4G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 24 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 30, Коэффициент усиления по току, max 240

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637646

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.454

Base Product Number

MJD350 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Power - Max

1.56W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

DPAK

Transistor Type

PNP

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

300V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

500mA

Pin Count

Minimum DC Current Gain

30@50mA@10V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Pd - Power Dissipation

1.56W

Максимальное напряжение коллектор-база

300 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Pd - рассеивание мощности

15 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

300 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

300 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

3 V

Непрерывный коллекторный ток

0.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

MJD350

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

TO-252-3

Ширина

6.22мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,56 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

300

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

300

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1@10mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.5

Maximum Power Dissipation (mW)

1560

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

TO-252

Supplier Package

DPAK

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

2.38(Max)

Package Length

6.73(Max)

Package Width

6.22(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальный пост. ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

3 В

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 180 КБ
Datasheet , pdf , 92 КБ
Datasheet , pdf , 88 КБ
Datasheet , pdf , 155 КБ

MJD350T4G - характеристики, поставщики

Последняя цена 24 руб.

Техническая документация