ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP56-10T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BCP56-10T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP56-10T1G
Последняя цена
7 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 63, Коэффициент усиления по току, max 160
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1637589
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.2
Base Product Number
BCP56 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
130MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
1.5W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Максимальное напряжение коллектор-база
100 V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.65мм
Pd - рассеивание мощности
1.5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.65мм
Длина
6.7мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
25
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
BCP56
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.7мм
Квалификация
AEC-Q101
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
130 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.5 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V
Максимальная рабочая частота
35 МГц
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Страна происхождения
MY
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet , pdf
, 70 КБ
Datasheet , pdf
, 127 КБ
Datasheet , pdf
, 74 КБ