FDS8884 - характеристики, поставщики

FDS8884

Последняя цена 15 руб.

FDS8884

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637539

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.222

Максимальный непрерывный ток стока

8,5 A

Максимальное рассеяние мощности

2.5 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

2мм

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

23 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Id - непрерывный ток утечки

8.5 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

23 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

9 ns

Время спада

21 ns

Длина

5мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

PowerTrench

Конфигурация

Single Quad Drain Triple Source

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

PowerTrench

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

42 нс

Типичное время задержки при включении

5 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SO-8

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

SI

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Число контактов

8

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

9,2 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

475 пФ при -15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

8.5A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

23mО© @ 8.5A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDS8884 , pdf , 388 КБ
Datasheet FDS8884 , pdf , 400 КБ
Datasheet FDS8884 , pdf , 416 КБ
Datasheet FDS8884 , pdf , 318 КБ