MJ11033G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1550 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1, АБ

Корпус TO-3, Тип проводимости и конфигурация PNP Darl., Рассеиваемая мощность 300 Вт, Напряжение КЭ максимальное 120 В, Ток коллектора 50 А, Коэффициент усиления по току, min 1000, Коэффициент усиления по току, max 18

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637513

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

14.5

Base Product Number

MJ11033 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

50A

Current - Collector Cutoff (Max)

2mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 25A, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

TO-204AE

Power - Max

300W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3.5V @ 500mA, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

120V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3.5 V

Maximum Operating Temperature

+200 °C

Number of Elements per Chip

Length

38.86mm

Maximum Collector Base Voltage

120 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

120 V

Package Type

TO-204

Maximum Power Dissipation

300 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

26.67mm

Height

8.51mm

Pin Count

Dimensions

38.86 x 26.67 x 8.51mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

400

Pd - рассеивание мощности

300 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

8.51 mm

Длина

38.86 mm

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

400, 1000

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

50 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

120 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

50 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

100

Серия

MJ11033

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

TO-204-2 (TO-3)

Ширина

26.67 mm

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

4.5 V

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Техническая документация

Datasheet , pdf , 117 КБ
Datasheet , pdf , 117 КБ
Datasheet , pdf , 195 КБ

MJ11033G - характеристики, поставщики

Последняя цена 1550 руб.

Техническая документация