ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI4848DY-T1-E3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI4848DY-T1-E3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI4848DY-T1-E3
Последняя цена
66 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOIC8, АБ
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 85 мОм
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1637506
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.251
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
3.7 A
Pd - рассеивание мощности
3 W
Qg - заряд затвора
21 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
85 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
150 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Другие названия товара №
SI4848DY-E3
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
TrenchFET
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
SI4
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок
SO-8
Техническая документация
Datasheet SI4848DY-T1-E3 , pdf
, 175 КБ
Datasheet SI4848DY-T1-E3 , pdf
, 242 КБ