FQP30N06, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 41 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Корпус TO-220-3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637473

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.742

Максимальное рассеяние мощности

79 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7мм

Высота

9.4мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.1мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Series

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Тип канала

Base Product Number

FQP3 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

945pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

79W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 15A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

30 A

Pd - рассеивание мощности

79 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

40 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

85 ns

Время спада

40 ns

Длина

10.67 mm

Другие названия товара №

FQP30N06_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

QFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

16 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FQP30N06

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

35 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220AB

Материал транзистора

Кремний

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.7мм

Maximum Drain Source Resistance

40 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

FQP30N06 , pdf , 800 КБ
Datasheet FQP30N06 , pdf , 687 КБ
Datasheet FQP30N06 , pdf , 795 КБ

FQP30N06 - характеристики, поставщики

Последняя цена 41 руб.

Техническая документация