FQPF6N90C, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 63 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FULLPAK3, АБ

QFET® N-Channel MOSFET, от 6А до 10.9A, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), пускорегулирующие аппараты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь во включенном состоянии за счет снижения на- сопротивление (RDS (on)) и уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637462

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.9

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

6 A

Package Type

TO-220F

Максимальное рассеяние мощности

56 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7

Высота

9.19мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

10.16мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Series

QFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2.3 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

900 V

Typical Gate Charge @ Vgs

30 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Base Product Number

FQPF6 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

56W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3Ohm @ 3A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220F

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

56 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.3 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

900 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

90 ns

Время спада

60 ns

Длина

10.16мм

Другие названия товара №

FQPF6N90C_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

QFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

55 нс

Типичное время задержки при включении

35 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220F

Размеры

10.16 x 4.7 x 9.19мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

35 ns

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1360 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

56W

Rds On - Drain-Source Resistance

2.3О© @ 3A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

900V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1256 КБ
FQPF6N90C , pdf , 1238 КБ
Datasheet FQPF6N90C , pdf , 1252 КБ
Datasheet FQPF6N90C , pdf , 1256 КБ

FQPF6N90C - характеристики, поставщики

Последняя цена 63 руб.

Техническая документация