SI2301CDS-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 112 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637454

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.043

Максимальный непрерывный ток стока

2.3 A

Максимальное рассеяние мощности

860 мВт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

112 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

3.04мм

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

3,3 нКл при 2,5 В, 5,5 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

405 pF @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.1A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

860mW

Rds On - Drain-Source Resistance

112mО© @ 2.8A,4.5V

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.3

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

112@4.5V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±8

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

860

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT-23

Supplier Package

SOT-23

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

405@10V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

5.5@4.5V|3.3@2.5V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.02(Max)

Package Length

3.04(Max)

Package Width

1.4(Max)

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

SI2301CD , pdf , 203 КБ
Datasheet , pdf , 194 КБ
Datasheet SI2301CDS-T1-GE3 , pdf , 198 КБ

SI2301CDS-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация