BCP53T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

PNP Bipolar Transistor, hFE 40 to 250
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 250

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637435

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.199

Base Product Number

BCP53 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

1.5A

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

50MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.5W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.5 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

35 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.7мм

Maximum Collector Base Voltage

-100 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

-80 V dc

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

3.7мм

Maximum DC Collector Current

1.5 A

Height

1.65мм

Pin Count

Dimensions

6.7 x 3.7 x 1.65mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V dc

Minimum DC Current Gain

25@5mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

1.5W

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.57 mm

Длина

6.5 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1.5 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BCP53

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.5 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.5@50mA@500mA

Maximum DC Collector Current (A)

1.5

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

1500

Maximum Transition Frequency (MHz)

50(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT-223

Supplier Package

SOT-223

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.57

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Максимальный пост. ток коллектора

1,5 A

Automotive Standard

AEC-Q101

Transistor Material

Техническая документация

Datasheet , pdf , 72 КБ
Datasheet , pdf , 145 КБ
Datasheet , pdf , 144 КБ

BCP53T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация