NTS4173PT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT323, АБ

Small Signal MOSFET 30V 1.3A 150 mOhm Single P-Channel SC-70
Корпус SOT-323-3, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637423

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.03

Максимальный непрерывный ток стока

1,3 А

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Высота

0.9мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

280 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P, WRU

Base Product Number

NTS4173 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.2A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power Dissipation (Max)

290mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1.2A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

1.3 A

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

150 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

700 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5.2 ns, 6.7 ns

Время спада

6.7 ns, 7.1 ns

Длина

2.2мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

3.6 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

NTS4173P

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

16,2 нс, 19,9 нс

Типичное время задержки при включении

5.3 ns, 7.7 ns

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-70-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

Power MOSFET

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Размеры

2.2 x 1.35 x 0.9мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,3 нс, 7,7 нс

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

1.35V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

10.1 nC @ 10 V, 4.8 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

430 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Техническая документация

Datasheet NTS4173PT1G , pdf , 195 КБ
Datasheet NTS4173PT1G , pdf , 126 КБ
Datasheet NTS4173PT1G , pdf , 109 КБ

NTS4173PT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация