SI7145DP-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: POWERPAKSO8, АБ

MOSFET, P-CH, -30V, -60A, POWERPAK SO
Корпус POWERPAKSO8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 60 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.6 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637416

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 c

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

powerpak so

Рассеиваемая Мощность

104вт

Полярность Транзистора

p канал

Напряжение Истока-стока Vds

30в

Непрерывный Ток Стока

60а

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0021ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10в

Пороговое Напряжение Vgs

2.3в

Transistor Mounting

surface mount

Вес, г

0.257

Линейка Продукции

trenchfet series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

msl 1-безлимитный

Ширина

5.15 mm

Высота

1.04 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Id - непрерывный ток утечки

60 A

Pd - рассеивание мощности

104 W

Qg - заряд затвора

413 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.1 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

13 ns

Время спада

27 ns

Длина

6.15 mm

Другие названия товара №

SI7145DP-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

110 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

130 ns

Типичное время задержки при включении

27 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

PowerPAK-SO-8

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

60A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

104W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

2.6mО© @ 25A,10V

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.3V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single Quad Drain Triple Source

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

No Lead

Maximum Continuous Drain Current (A)

36.5

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

2.6@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

6250

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Supplier Package

PowerPAK SO EP

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

15660@15V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

129@4.5V|275@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

275

Typical Fall Time (ns)

27|43

Typical Rise Time (ns)

110|13

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

107|130

Typical Turn-On Delay Time (ns)

125|27

Automotive

Military

Package Height

1.07(Max)

Package Length

4.9

Package Width

5.89

Process Technology

TrenchFET

Техническая документация

Datasheet SI7145DP-T1-GE3 , pdf , 342 КБ
Datasheet SI7145DP-T1-GE3 , pdf , 355 КБ
Datasheet , pdf , 341 КБ

SI7145DP-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация