SI2308BDS-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 18 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 156 мОм

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1637394

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.044

Максимальный непрерывный ток стока

1.9 A

Максимальное рассеяние мощности

1,09 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

156 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Id - непрерывный ток утечки

2.3 A

Pd - рассеивание мощности

1.66 W

Qg - заряд затвора

6.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

156 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

10 ns

Время спада

7 ns

Длина

3.04мм

Другие названия товара №

SI2308BDS-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

11 ns

Типичное время задержки при включении

4 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SOT-23-3

Тип корпуса

TO-126

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

4,5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

190 пФ при 30 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Прямая активная межэлектродная проводимость

5с

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

1.9

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

156@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

1090

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT-23

Supplier Package

SOT-23

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

190@30V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

4.5@10V|2.3@4.5V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

4.5

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.02(Max)

Package Length

3.04(Max)

Package Width

1.4(Max)

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.2

Typical Gate to Drain Charge (nC)

Typical Gate to Source Charge (nC)

0.8

Typical Reverse Recovery Charge (nC)

Typical Output Capacitance (pF)

Техническая документация

SI2308BDS-T1-GE3 , pdf , 252 КБ
Datasheet , pdf , 247 КБ
Datasheet , pdf , 253 КБ

SI2308BDS-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 18 руб.

Техническая документация