ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSS63LT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BSS63LT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BSS63LT1G
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 30
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1637360
Технические параметры
Вес, г
0.032
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-250 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
95 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 В
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
-50 °C
Width
1.4мм
Maximum DC Collector Current
100 мА
Height
1.11mm
Pin Count
3
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.11mm
Minimum DC Current Gain
30
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
225mW
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
110
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9@2.5mA@25mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@2.5mA@25mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Maximum Transition Frequency (MHz)
95(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-23
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-900 mVdc
Техническая документация
Datasheet BSS63LT1G , pdf
, 61 КБ
Datasheet , pdf
, 82 КБ
