BC850CLT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637351

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.032

Base Product Number

BC850 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

225mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,6 В

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

45 В

Maximum Power Dissipation

300 мВт

Width

1.3мм

Maximum DC Collector Current

100 mA

Height

0.94мм

Pin Count

Minimum DC Current Gain

420@2mA@5V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

225mW

Максимальное напряжение коллектор-база

50 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

0.94 x 2.9 x 1.3mm

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC850CL

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.75

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.1

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Техническая документация

Datasheet , pdf , 112 КБ
Datasheet , pdf , 237 КБ
Datasheet , pdf , 214 КБ
Datasheet BC850CLT1G , pdf , 236 КБ

BC850CLT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация