ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSR16 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BSR16
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BSR16
Последняя цена
4 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
Корпус TO236
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1637345
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.032
Base Product Number
BSR16 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
800mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
200MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
350mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
200 МГц
Maximum Collector Base Voltage
60 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
60 В
Maximum DC Collector Current
800 мА
Dimensions
0.93 x 2.92 x 1.3мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
0.93 x 2.92 x 1.3мм
Pd - рассеивание мощности
350 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.93мм
Длина
2.92мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.8 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
0.8 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BSR16
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3мм
Другие названия товара №
BSR16_NL
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
300
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
200 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
350 мВт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.6 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2,6 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Техническая документация
Datasheet BSR16 , pdf
, 352 КБ
Datasheet BSR16 , pdf
, 165 КБ