ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
J113 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
J113
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
J113
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1, корпус: TO92, АБ
Корпус TO-92-3
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1637327
Технические параметры
Вес, г
0.231
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-92
Length
5.2мм
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одиночный
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.19mm
Height
5.33mm
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Channel Type
N
Configuration
Одинарный
Dimensions
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Source Gate On-Capacitance
28pF
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 2mA
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Техническая документация
Datasheet - J111 / J112 / J113 / MMBFJ111 / MMBFJ112 / MMBFJ113 , pdf
, 291 КБ
