ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MUN5211T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MUN5211T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MUN5211T1G
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703, АБ
Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 202 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 60
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1637326
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.03
Base Product Number
MUN5211 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
202mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-70-3 (SOT323)
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Package Type
SC-70
Maximum Power Dissipation
310 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35mm
Maximum DC Collector Current
100mA
Height
0.9mm
Pin Count
3
Dimensions
2.2 x 1.35 x 0.9mm
Minimum DC Current Gain
35
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
202mW
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Pd - рассеивание мощности
310 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.85 mm
Длина
2.1 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
35
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MUN5211
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-70/SOT-323-3
Ширина
1.24 mm
Квалификация
AEC-Q101
Максимальное рассеяние мощности
310 mW
Automotive Standard
AEC-Q101
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 135 КБ
Datasheet , pdf
, 409 КБ
Datasheet , pdf
, 115 КБ
