MUN5111T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703, АБ

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 202 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35, Коэффициент усиления по току, max 60

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1637325

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.03

Base Product Number

MUN5111 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

202mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2.2mm

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SC-70

Maximum Power Dissipation

310 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

100 (Continuous) mA

Height

0.9mm

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 0.9mm

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

202mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Размеры

2.2 x 1.35 x 0.9мм

Pd - рассеивание мощности

202 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.85 mm

Длина

2.1 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN5111

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-70-3

Ширина

1.24 mm

Количество элементов на ИС

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Configuration

Single

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@0.3mA@10mA

Maximum Power Dissipation (mW)

310

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT-323

Supplier Package

SC-70

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.85

Package Length

2.1

Package Width

1.24

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Число контактов

Тип корпуса

SC-70

Automotive Standard

AEC-Q101

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

10 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Typical Resistor Ratio

Resistor - Base (R1)

10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10 kOhms

Maximum Continuous DC Collector Current (mA)

100

Typical Input Resistor (kOhm)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 180 КБ
Datasheet , pdf , 375 КБ
Datasheet , pdf , 358 КБ
Datasheet , pdf , 372 КБ

MUN5111T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация